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Plasmaunterstütztes chemisches Gasphasenabscheidungssystem (PECVD) im Hochvakuum
Parallelplatten-kapazitive PECVD ist eine Technologie, die Plasma verwendet, um reaktive Gase zu aktivieren und so chemische Reaktionen auf der Substratoberfläche oder im oberflächennahen Raum zu fördern und Festkörperfilme zu bilden. Das Grundprinzip der Plasma-Chemiedampfabscheidungstechnologie besteht darin, dass unter Einwirkung eines Hochfrequenz- oder Gleichstromfelds das Quellgas ionisiert wird, um Plasma zu bilden, und das Niedertemperaturplasma als Energiequelle verwendet wird, eine geeignete Menge reaktiven Gases eingeführt wird und die Plasmaentladung verwendet wird, um das reaktive Gas zu aktivieren und eine chemische Dampfabscheidung zu bilden.
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