Sistema de deposição química de vapor assistida por plasma de alto vácuo (PECVD)
A deposição química de vapor assistida por plasma capacitivo em placas paralelas (PECVD capacitivo) é uma tecnologia que utiliza plasma para ativar gases reativos e promover reações químicas na superfície do substrato ou em seu espaço próximo à superfície, formando filmes de estado sólido. O princípio básico da tecnologia de deposição química de vapor por plasma é que, sob a ação de um campo elétrico de alta frequência ou corrente contínua, o gás de origem é ionizado para formar plasma. O plasma de baixa temperatura é utilizado como fonte de energia, introduzindo-se uma quantidade adequada de gás reativo, e a descarga de plasma é utilizada para ativar o gás reativo e formar o filme de deposição química de vapor.
- Shenyang Kejing
- Shenyang, China
- 22 dias úteis
- 50 conjuntos
- em formação
Apresentação do produto
O sistema PECVD capacitivo de placas paralelas foi projetado para pesquisa e desenvolvimento avançados de materiais de filmes finos. Ele adota uma estrutura cilíndrica de câmara única e tecnologia de plasma acoplado capacitivamente (CCP) para obter deposição precisa de filmes finos em baixas temperaturas (≤500 °C) com alta precisão de temperatura (±1 °C). O sistema oferece excelente desempenho de vácuo com uma pressão máxima de 8,0 × 10⁻⁴ Pa. A combinação de fonte de alimentação de radiofrequência e espaçamento ajustável entre os eletrodos garante uniformidade otimizada do plasma, resultando na formação de filmes densos e de alta qualidade.
Equipado com controladores de fluxo de massa duplos, o sistema suporta reações multigás sob diversas condições de processo. A interface integrada de tratamento de gases de escape aumenta a compatibilidade ambiental e a segurança. Com seu design de processo modular e flexível, este sistema PECVD é ideal para aplicações na fabricação de dispositivos semicondutores, revestimentos ópticos, materiais para energia e pesquisa avançada de filmes funcionais.
A técnica PECVD capacitiva de placas paralelas ativa gases reativos por meio da excitação de plasma, promovendo reações químicas na superfície do substrato ou próximo a ele para formar filmes de estado sólido. Seu princípio de funcionamento baseia-se na ionização de gases de origem sob campos elétricos de alta frequência ou corrente contínua para gerar plasma, que fornece a energia necessária para a deposição química de vapor assistida por plasma (PECVD). Como um sistema de desenvolvimento de processo PECVD de câmara única, é adequado para o crescimento de nanofios e a fabricação de diversos filmes finos via CVD, servindo como uma ferramenta de pesquisa essencial para a exploração de materiais inovadores para filmes finos.
Principais características
1. O sistema adota uma estrutura de tubo único e porta frontal manual.
2. Deposição de filmes finos em ambiente de alto vácuo
3. Câmara de aço inoxidável
4. Plataforma de amostra rotativa
TParâmetros técnicos
Nome do produto | PECVD capacitivo de placas paralelas |
Condições de Instalação | 1. Temperatura ambiente: 10℃～35℃ 2. Umidade relativa: não superior a 75% 3. Alimentação: 220 V, monofásica, 50 ± 0,5 Hz 4. Potência do equipamento: inferior a 4 kW 5. Abastecimento de água: pressão da água de 0,2 MPa a 0,4 MPa, temperatura da água de 15 °C a 25 °C. 6. O ambiente ao redor do equipamento deve estar organizado, o ar deve estar limpo e não deve haver poeira ou gás que possam causar corrosão em aparelhos elétricos ou outras superfícies metálicas, ou causar condução entre metais. |
Parâmetros principais (Especificação) | 1. O sistema adota uma estrutura de tubo único e porta frontal manual. 2. Os componentes e acessórios da câmara de vácuo são todos fabricados em aço inoxidável de alta qualidade (304), soldados por arco de argônio, e a superfície recebe tratamento de jateamento de vidro, polimento eletroquímico e passivação. Possui uma janela de observação visual e um defletor/obturador. As dimensões da câmara de vácuo são Φ300mm×300mm. 3. Limite do grau de vácuo: 8,0×10-5Bem (Após o cozimento e a desgaseificação, use uma bomba molecular de 600 L/s para bombear ar e 4 L/s para o estágio frontal); Taxa de vazamento na detecção de vazamentos de vácuo do sistema: ≤5,0×10-7Pa.L/s; O sistema começa a bombear ar da atmosfera para 8,0×10-4Pa, que pode ser alcançado em 40 minutos; o grau de vácuo após a bomba ser desligada por 12 horas: ≤20 Pa 4. Método de acoplamento capacitivo com a amostra na parte inferior e o aspersor na parte superior; 5. A temperatura máxima de aquecimento da amostra é de 500℃, a precisão do controle de temperatura é de ±1℃ e o controle de temperatura é feito por meio de um medidor. 6. Dimensões do bocal do aspersor: Φ90mm, espaçamento entre os eletrodos (cabeça do aspersor e amostra) ajustável continuamente online entre 15 e 50mm (ajustável conforme a necessidade do processo), com visor de escala. 7. Vácuo de trabalho para deposição: 13,3-133 Pa (pode ser ajustado de acordo com a necessidade do processo) 8. Fonte de alimentação de RF: frequência de 13,56 MHz, potência máxima de 300 W com adaptação automática. 9. Tipo de gás (fornecido pelo usuário): a configuração padrão é um controlador de qualidade de 2 canais e 100 sccm; o usuário pode alterar a configuração do circuito de gás de acordo com os requisitos do processo. 10. Sistema de tratamento de gases de escape (fornecido pelos usuários)
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Garantia
Garantia limitada de um ano com suporte vitalício (exceto peças enferrujadas devido a condições inadequadas de armazenamento).
Logística
